歡迎來到理想能源設備(上海)有限公司網站!
021-5027 6825??

English簡體中文

ALD保護膜沉積

產品與技術

?

原子層沉積技術原理

●  ALD(單原子層沉積)原理是二種反應氣體交替反應,每一次只有一種反應物在表面形成單原子層,多余的反應物被purge氣體排出反應腔;

●  根據ALD反應機理,薄膜是單原子層二維生長,因此制備的材料質量高、均勻度好。

 

LED Al2O3 ALD沉積工藝

●  ALD方法鍍膜,晶體質量高,覆蓋性好,特別是對LED側壁有很好的保護

●  Al2O3 比SiO2介電常數更高,絕緣保護性能更好, 透水率低,可以取代PECVD SiO2 作為芯片的封裝層,提高芯片出光效率和潮濕環境下的可靠性

●  ALD AlN可以用于GaN LED 生長的緩沖層,提高LED的性能和產能

全年固定公式规律资料 七乐彩综合走势图表图 黑龙省体彩6十1玩法 股市资讯看哪个网站 贵州11选五5开奖结 股票推荐可信吗 内蒙古快三遗漏号码查询 股票投资方法有哪些 云南快乐10分开奖视频 爱彩乐内蒙古十一选五 福建快三的台子